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            半導體工藝中的硅晶體缺陷檢測

            當下半導體行業發展的非常迅速,半導體工廠之間的競爭也越發激烈。為了更好的發展,各公司都在努力追求器件的質量和成品率。在晶圓的制造中,硅襯底中的硅晶體缺陷將嚴重影響晶圓的良率。因此晶圓缺陷的檢測也就越來越被重視。



            目前的檢測方法可針對硅襯底表面的硅缺陷進行檢測,即通過實驗室的刻蝕方法來了解是否存在硅缺陷,與其在硅襯底表面的分布情況。但是有時晶圓制造工程師還需要了解硅晶體缺陷在硅襯底中的深度縱向分布。而使用傳統的表面的硅缺陷檢測方法難以得到硅襯底中硅晶體的缺陷的分布。
            傳統的表面分析無法滿足硅晶體缺陷在硅襯底中的深度縱向分布,但是金相顯微鏡與紅外輻射相機搭配,可以實現透過半導體硅材料,入射的一束紅外光波與硅晶體中的荷電粒子相互作用,將帶著晶體內部的各種信息離開晶體,從而達到能夠檢測晶硅體缺陷在硅襯底中的深度縱向分布。

            硅襯底中的析出物                                 碲化鎘(CdTe)

            應用產品

            ◆ Nikon LV150N/LV100ND ◆
            ●比較傳統只用對比偵測方式,LV-DAF ;特別是應用于LCD 基板,可以更快速對焦;
            LV-DAF 使用白色的LED光源,可隨著待測物對光線反射率的強弱而自行調整自動對焦之燈源亮度;
            提供明視野、暗視野及干涉相位差之觀察,可選擇反射式(上光源) 及穿透式(上光源)之燈源;
            自動程序化調整,可依照產品種類之不同設定10 組適合之參數狀態 ;設定簡易快速;
            LV-DAF 可經由USB 或 RS232 port由計算機控制或由Nikon DS-L2數位照相系統驅動;
            LV-DAF 可搭配其他Nikon LV 系列產品使用;當結合Nikon 特有的LV-ECON使用時,可觀察特定之待測物并將其調整至舒適狀態;
            Nikon 提供SDK,可輕易整合或支援不同系統及客制化機臺使用;

            ◆ 紅外相機-lris9相機 ◆
            lris9具有高量子效率和低噪聲水平;
            能夠最大限度的提高對弱信號的檢測能力;
            能夠有效的減少曝光時間;

            幅速度30幀/秒,900萬像素芯片,17.8mm的對角線視野;







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